半导体行业周刊：各地半导体产能建设加速，持续助力国家经济发展

【重点技术】ASML High-NA EUV光刻机取得突破，成功印刷10nm线宽图案

据外媒4月18日消息，荷兰阿斯麦 （ASML） 公司宣布，其首台采用0.55数值孔径 （NA） 投影光学系统的高数值孔径 （High-NA） 极紫外 （EUV） 光刻机已经成功印刷出首批图案。这一突破是ASML公司以及整个高数值孔径EUV光刻技术领域的一项重大里程碑。

点评：光刻机是半导体产业的重要生产加工设备之一。近年来，在消费电子需求相对低迷的情况下，电动汽车、风光储、人工智能等新需求成为半导体产业成长的新动能，全球光刻机产业规模保持稳定增长。数据显示，2023年，全球半导体设备出货金额为1063亿美元，其中，光刻机市场占比约为24%。因此，据统计，2023年全球光刻机市场规模在255.12亿美元左右，较上年小幅下降1.27%，较2020年增长49.28%。从市场竞争格局看，荷兰阿斯麦（ASML）是全球光刻机制造技术的绝对领先企业，与日本佳能、日本尼康共同占据全球光刻机行业绝大多数市场份额，引领产业技术发展。

此次ASML公司宣布的消息意味着，相较于目前13nm分辨率的EUV光刻机，ASML公司配备0.55NA高数值孔径镜头的光刻机设备能够实现8nm的超高分辨率，且该技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小1.7倍、晶体管密度提高2.9倍的晶体管。这标志着全球EUV光刻技术的新阶段已经到来。未来，ASML公司将逐渐把高数值孔径EUV光刻技术系统调试至最佳性能，并且将逐步把该项技术引入至现实生产环境中，以消除对EUV双重曝光的需求，从而简化生产流程、提高产量并降低成本。这将为全球半导体产业发展带来巨大机遇，同时也说明，未来3nm以下制程芯片的规模化实现可能性将大幅度提升。在此趋势下，全球半导体市场竞争将日益白热化。

图1：2020-2023年全球光刻机市场规模变化（单位：亿美元）

资料来源：智研咨询整理

【重点事件】美国政府宣布计划向三星电子提供超60亿美元补贴

当地时间4月15日，美国商务部宣布，美国政府将基于《芯片与科学法》，向三星提供64亿美元的直接补贴，支持该公司在得克萨斯州建设半导体工厂及相关设施。据悉，三星将对其位于得州奥斯汀的现有晶圆厂进行扩建，同时在奥斯汀东北方向的泰勒市新建一座晶圆厂、一座先进封装设施和一座研发设施。

【重点事件】2024年第二届特色工艺半导体产业发展常州大会隆重举行

4月18日，2024年第二届特色工艺半导体产业发展常州大会举行。市长盛蕾，中国科学院院士郝跃、中国工程院院士吴汉明、国际欧亚科学院院士魏少军等出席活动。

  现场，亦泓科技智能感知、轻舟微电子MEMS传感器、浦兰斯半导体射频感应制粉设备、铸远智造虚拟传感器、鸣耀激光固体激光器5个项目签约入驻龙城芯谷。来自西安电子科技大学、常州大学、西科控股等高校和投资机构、领军企业的6名专家学者、投资人、企业高管获“引才合伙人”授牌。东南大学可穿戴电子产教融合基地揭牌，基地将围绕相关产业开展产教融合协同育人，培养更多产业发展急需的紧缺人才和原始创新人才。

【重点事件】浙江大学集成电路学院与芯启源、芯云晟建立合作伙伴关系

4月15日，浙江大学集成电路学院与芯启源电子科技有限公司、芯云晟电子科技有限公司签约，正式宣布建立长期战略合作伙伴关系，旨在打通前沿技术研发关于产业应用端的通路，攻克科研成果产业化难题，形成从技术研发到产品落地的高效双向循环。

签约仪式上，“浙江大学集成电路学院-芯启源-数字仿真与原型验证联合实验室”、“浙江大学集成电路学院-芯云晟-新一代智算网络技术联合实验室”正式揭牌。

【重点事件】金义新区半导体元器件制造加速器项目开工

4月18日，金义新区举行半导体元器件制造加速器项目开工仪式。

据悉，该项目总投资15亿元，占地面积104.17亩，建筑面积21万平方米，计划建设7栋主体建筑。项目位于集科创研发、高教孵化、智能制造等多功能为一体的金漪湖科技创新策源地，毗邻金华科技城、金华理工学院，金义快速路近在咫尺，位置优越，交通便捷。

项目建成后，将用于承载半导体元器件科创领域科技成果孵化，实现“孵化器+加速器”功能，进一步拓展新区项目招引的空间，实现筑巢引凤的同时，助力新区信创产业做优做强、构建发展新格局。

【重点事件】能华半导体张家港制造中心（二期）项目动工

4月18日，据张家港市经开区（杨舍镇）官微消息，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。

据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，规划建设生产厂房及配套设施，总建筑面积约10000平方米，采用先进半导体外延、测试等工艺技术，购置MOCVD、XRD衍射仪、AFM原子力显微镜等设备，新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。

资料显示，江苏能华微电子科技发展有限公司是主要从事设计、研发、生产和销售以GaN为代表的复合半导体高性能晶圆、功率器件、芯片和模块的高新技术企业，拥有包括外延材料、功率芯片和器件、射频晶圆等行业内最全的产品线，是国内第三代半导体领军企业。

【重点企业】华虹制造（无锡）项目FAB9主厂房全面封顶

4月20日，华虹制造（无锡）项目FAB9主厂房全面封顶，由四建集团与十一科技联合体承建，比计划工期提前30天。

据悉，华虹无锡集成电路研发和制造基地是华虹集团走出上海、布局全国的第一个制造业项目。本工程为二期项目，总建筑面积约53万平方米，将建设一条月产能8.3万片的12英寸特色工艺生产线。

此前消息显示，2023年6月8日，华虹集团旗下华虹宏力在无锡高新区启动实施华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目，投资67亿美元。依托华虹半导体多年积累的全球领先特色工艺技术，聚焦车规级芯片，对相关工艺领域进行深入布局和研发，持续提升在新能源汽车、物联网、新能源、智能终端等领域的应用。

据了解，2017年8月，华虹无锡一期项目落户无锡高新区。预计一期、二期项目全部达产后月产能将达18万片，华虹无锡项目将成为国内技术最先进、生产规模最大的12英寸特色工艺研发和制造基地。

【重点企业】鑫华半导体年产10000吨电子级多晶硅项目竣工

4月18日，蒙缘六建发布消息显示，内蒙古鑫华半导体科技有限公司10000吨每年高纯电子级多晶硅产业集群项目顺利建成，目前已进入试生产阶段。

据悉，该项目位于内蒙古呼和浩特市赛罕区金河镇中环产业园，项目占地面积216450平方米，总建筑面积153000平方米，总投资约28亿元。建成达产后，可实现向全球客户长期稳定供应年产高纯电子级多晶硅10,000吨产能、电子级二氯二氢硅500吨产能、电子级三氯氢硅3,000吨产能和电子级四氯化硅3,000吨产能，满足全球半导体市场需求量。

【重点企业】卓锐思创芯片封装测试项目签约

4月18日，卓锐思创芯片封装测试项目在深圳正式签约。据悉，卓锐思创芯片封装测试项目计划总投资约20亿元，总占地约60亩，将建设多条新型芯片（28纳米）封装测试生产线，并在清江浦建设国家级实验室。项目投产后预期产能150KK/月，产值20亿/年。

【重点企业】篆芯半导体总部项目落户苏州高新区

4月17日，“苏州高新区发布”官微宣布，篆芯半导体总部项目签约落户苏州高新区，将加快攻关突破关键核心技术，深耕优势细分领域，为集成电路产业集群高质量发展增添新动力。

据悉，此次篆芯半导体签约落户，将建设成为企业总部，充分发挥研发创新优势，导入更多高端资源要素，推出更多新技术新产品，达产后预计产值15亿元。

据了解，篆芯半导体聚焦具有自主知识产权的高性能网络芯片及解决方案，面向AI智算、云计算、运营商等行业客户需求，致力于打造领先的全国产、高性能、可编程网络芯片，着力服务融入数字经济发展。

【重点事件】西安8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目实现“交地即交证”

4月19日，西安高新区以“交地即交证”模式向陕西电子芯业时代科技有限公司核发了8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目的《土地移交单》和《不动产权证书》。

据悉，8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目位于西安高新区综一路以南、综三路以北、保八路以东、规划路以西，总投资45亿元，主要建设一条8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线及配套设施，建成后将填补我省8英寸半导体制造领域的空白，预计产值28.5亿元。

此前消息显示，该项目于2022年9月完成项目备案，力争2024年建成投产，建成后该项目将填补陕西省8英寸制造领域的空白。

据了解，西安高新区于2020年底启动“交地即交证”改革试点工作，保障了一批社会民生项目和产业项目快速推进，为推动重点项目建设注入了动能。

【重点事件】南明新型光电显示产业链项目签约

4月21日，2024中国产业转移发展对接活动（贵州）在贵阳开幕。南明区与上海紫骐麟企业管理有限公司签署南明新型光电显示产业链项目投资合作协议。

根据协议内容，双方将整合资源优势，在南明智能制造产业园投资20亿元，其中引进外资14.8亿元，建设COB灯带、半导体器件、新型显示设备等光电产品生产线。项目部分产品将用于出口，有效带动外贸发展，建成投产后，预计五年内将累计实现规模以上工业产值不低于164亿元，综合纳税不低于8.2亿元，有效引入资金、人才、技术、设备，进一步推动南明区新型显示、半导体等产业集群发展。

【重点企业】傲迪特半导体携手鼎华智能启动MES项目

4月15日，傲迪特半导体（南京）有限公司（以下简称“傲迪特半导体”）携手南京鼎华智能系统有限公司（以下简称“鼎华智能”）举行MES项目启动大会。这一合作将使傲迪特半导体能够通过生产流程的数字化，快速响应客户需求，提供定制化服务，保持技术领先优势。

据悉，傲迪特半导体凭借在半导体及显示器行业积累的十余年设备零部件精密洗净经验，以及1000多种零件的生产验证洗净技术，专注于为泛半导体领域提供全面的生产设备污染控制解决方案。此次与鼎华智能的CIM系统合作，旨在通过引入制造执行系统（MES），构建数字化车间，实现生产任务过程的全面管控，确保每一张流程卡在工厂内都有完整的数字足迹，从而提升车间的透明化和智能化水平。

资料显示，鼎华智能坚持智能制造为主攻方向，依托先进的工业软件 MES（制造执行系统）、APS（先进排程）、半导体CIM数字化解决方案等工业软件以及数据服务，持续为电子半导体、离散制造等行业客户提供合适的智能工厂数字化解决方案。

【重点企业】新阳硅密完成超亿元B轮融资

4月21日，据天眼查APP公布信息显示，新阳硅密（上海）半导体技术有限公司（以下简称“新阳硅密”）宣布完成B轮超亿元融资。该轮融资由国鑫投资领投，上海科创、国贸产业基金跟投。

资料显示，新阳硅密由上海新阳半导体材料股份有限公司与硅密四新半导体技术（上海）有限公司于2016年4月重组成立，打造了研发中心试验平台及制造基地，具有完备的研发及生产能力。专注于半导体湿法制程电镀设备及相关湿法装备的研发、生产、销售及服务，提供性价比极高的新型全自动电镀机台。其自主研发设备包括水平电镀设备、化学镀设备、清洗/去胶设备、供液系统等。

【重点企业】康达新材子公司拟2.89亿元投建半导体光刻胶光引发剂项目

4月16日，康达新材发布公告称，经决议，公司同意控股子公司西安彩晶光电科技股份有限公司投资建设半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目。

公告显示，半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目拟建设于陕西省西安经济技术开发区泾渭新城渭华路北段19号，总投资2.89亿元，总规模为光引发剂603吨/年。项目可以依托彩晶光电的研发平台和技术基础，开展半导体光刻胶关键材料光引发剂制备技术的理论研究、基础研究和应用技术研究，形成系统化的技术成果。据了解，目前彩晶光电已掌握TFT液晶面板正性光刻胶核心原材料光引发剂（PAC）及半导体集成电路光刻胶光引发剂（PAG）的生产技术及工艺，多项产品在目标客户处进行了性能测试。彩晶光电拟在此基础上，通过本项目的开展完成产品中试和量产工艺技术研究，并最终形成光引发剂的产业化生产能力。

此次投资旨在深化落实康达新材“新材料+电子科技”战略布局，进一步优化控股子公司西安彩晶光电的产品结构，填补国内空白，实现国产替代，解决光刻胶核心材料“卡脖子”问题，突破国际技术和市场垄断，有力提升我国光刻产业链自主可控水平。

【重点技术】我国研制出世界首个氮化镓量子光源芯片

4月18日，电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。

据悉，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料进行研制，与之相比，氮化镓量子光源芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破，输出波长范围从25.6纳米增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。

此项研究工作得到国家科技创新2030重大项目、国家自然科学基金、四川省科技计划等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”为题，发表在国际著名学术期刊《物理评论快报》上，并被选为“物理亮点”进行重点宣传报道。

据了解，天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心聚力攻关量子互联网领域关键核心技术。当前，中心正在加快布局城域量子互联网、量子人工智能、量子信息器件等产业方向，大力推动量子赋能新质生产力在政务、金融、医疗、健康等领域的应用落地，坚定厚植量子科技的前沿研究和创新应用。

【重点技术】三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

4月17日，三星电子宣布已成功开发出业界领先的10.7Gbps LPDDR5X DRAM内存，该产品专为满足日益增长的人工智能应用需求而设计。这款采用12纳米级工艺技术的LPDDR5X DRAM，不仅在性能上比上一代产品提高了超过25%，而且在容量上也有了30%以上的提升，同时在能效比上实现了25%的提升。

据悉，这款新一代LPDDR5X DRAM内存的单封装容量被扩展至32GB，这一突破性的进展将极大地满足端侧AI应用对高性能和大容量内存的需求。设计亮点在于其能够根据工作负载频率调整和优化供电模式，扩展低功耗模式频段，从而在提高性能的同时，有效降低能耗。这一特性使得新产品在移动设备电池寿命的提升和服务器总体拥有成本的降低方面具有显著优势。

三星电子内存业务部门表示，新产品的推出标志着公司在低功耗、高性能内存领域的领先地位得到了进一步巩固。计划在完成移动处理器厂商和终端设备厂商的验证后，于今年下半年启动10.7Gbps LPDDR5X DRAM的量产。

【重点事件】国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂

4月16日，据广州产投、越海集成官微消息，由广东微技术工业研究院组织的“曝光时刻——3D异构芯片封装技术研讨会”暨国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂仪式在广州市增城区广东越海集成技术有限公司举行。

据悉，本次交付入厂的国内首台大芯片先进封装专用光刻机由星空科技自主研制，可以为Chiplet和2.5D/3D大芯片的集成制造提供光刻加工工艺，为助力国产人工智能大芯片集各种功能芯片之大成提供了有力的技术支撑。

而该台光刻机的接收方越海集成，是一家由兴橙资本、传感器集团联合中国本土经验最丰富的TSV晶圆级先进封装团队主要发起设立控股，并由广东省、广州市、增城区三级国资参股的先进封装企业，总部位于广州市增城经济技术开发区核心区，项目计划总投资约为人民币66亿元。