科学家揭示量子电路中引起退相干的表面自旋的结构和化学性质

英国国家物理实验室（NPL）科学家与物理化学专家合作，利用最先进的电子顺磁共振（EPR）技术来研究与超导量子电路相关的材料特性，其结果发表在《科学进展》杂志上。

近年来，超导量子计算机的研究重点是容错纠错量子计算,但进展存在阻碍。这些障碍主要归因于与量子比特相互作用的原子级材料缺陷。该团队通过用强磁场EPR提供的固有高分辨率，结合核光谱技术来研究Al2O3（一种存在于所有现代超导量子处理器中的材料）上的特定表面自由基。研究揭示了自由基的复杂结构，即一个电子耦合到Al2O3晶格中的多个Al原子以及许多单独的氢原子核，这种表面缺陷的确切结构和形成化学与超导量子电路中的退相干有关。

这项研究是量子电路材料领域的重要进展，第一个为识别化学和结构上的缺陷提供了直接途径。

注：本文摘自国外相关研究报道，文章内容不代表本网站观点和立场，仅供参考。

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