2022-2028年中国第三代半导体行业市场发展模式及竞争格局预测报告

2022-2028年中国第三代半导体行业市场发展模式及竞争格局预测报告

《2022-2028年中国第三代半导体行业市场发展模式及竞争格局预测报告》共十二章,包含第三代半导体产业重点企业经营状况分析,第三代半导体产业投资价值综合评估,2022-2028年第三代半导体产业前景与趋势预测等内容。

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第一章第三代半导体相关概述

1.1 第三代半导体基本介绍

1.1.1 基础概念界定

1.1.2 主要材料简介

1.1.3 历代材料性能

1.1.4 产业发展意义

1.2 第三代半导体产业发展历程分析

1.2.1 材料发展历程

1.2.2 产业演进全景

1.2.3 产业转移路径

1.3 第三代半导体产业链构成及特点

1.3.1 产业链结构简介

1.3.2 产业链图谱分析

1.3.3 产业链生态体系

1.3.4 产业链体系分工

1.3.5 产业链联盟建设

第二章2017-2021年全球第三代半导体产业发展分析

2.1 2017-2021年全球第三代半导体产业运行状况

2.1.1 国际产业格局

2.1.2 市场规模增长

2.1.3 市场结构分析

2.1.4 研发项目规划

2.1.5 应用领域格局

2.2 美国

2.2.1 研发支出规模

2.2.2 产业技术优势

2.2.3 技术创新中心

2.2.4 技术研发动向

2.2.5 战略层面部署

2.3 日本

2.3.1 产业发展计划

2.3.2 研究成果丰硕

2.3.3 封装技术联盟

2.3.4 照明领域状况

2.3.5 研究领先进展

2.4 欧盟

2.4.1 研发项目历程

2.4.2 产业发展基础

2.4.3 前沿企业格局

2.4.4 未来发展热点

第三章2017-2021年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析

3.1 政策环境(Political)

3.1.1 中央部委政策支持

3.1.2 地方政府扶持政策

3.1.3 材料领域专项规划

3.1.4 贸易关税摩擦影响

3.2 经济环境(Economic)

3.2.1 宏观经济概况

3.2.2 工业运行情况

3.2.3 经济转型升级

3.2.4 未来经济展望

3.3 社会环境(Social)

3.3.1 社会教育水平

3.3.2 人口规模与构成

3.3.3 产业结构演进

3.3.4 技术人才储备

3.4 技术环境(Technological)

3.4.1 专利技术构成

3.4.2 科技计划专项

3.4.3 国际技术成熟

3.4.4 产业技术联盟

第四章2017-2021年中国第三代半导体产业发展分析

4.1 中国第三代半导体产业发展特点

4.1.1 企业以IDM模式为主

4.1.2 制备工艺不追求顶尖

4.1.3 衬底和外延是关键环节

4.1.4 各国政府高度重视发展

4.1.5 国际龙头企业加紧布局

4.1.6 军事用途导致技术禁运

4.2 2017-2021年中国第三代半导体产业发展运行综述

4.2.1 产业发展现状

4.2.2 产业整体产值

4.2.3 产业产线规模

4.2.4 产业供需状态

4.2.5 产业成本趋势

4.2.6 产业应用前景

4.2.7 未来发展趋势

4.3 2017-2021年中国第三代半导体市场发展状况分析

4.3.1 市场发展规模

4.3.2 细分市场结构

4.3.3 企业竞争格局

4.3.4 重点企业介绍

4.3.5 产品发展动力

4.4 2017-2021年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析

4.4.1 上游金属硅产能扩张

4.4.2 上游金属硅价格走势

4.4.3 上游氧化锌市场需求

4.4.4 上游材料产业链布局

4.4.5 上游材料竞争状况分析

4.5 中国第三代半导体产业发展问题分析

4.5.1 产业发展问题

4.5.2 市场推进难题

4.5.3 技术发展挑战

4.5.4 城市竞争激烈

4.5.5 材料发展挑战

4.6 中国第三代半导体产业发展建议及对策

4.6.1 建设产业联盟

4.6.2 加强企业培育

4.6.3 集聚产业人才

4.6.4 推动应用示范

4.6.5 材料发展思路

第五章2017-2021年第三代半导体氮化镓(GaN)材料及器件发展分析

5.1 GaN材料基本性质及制备工艺发展状况

5.1.1 GaN结构性能

5.1.2 GaN制备工艺

5.1.3 GaN材料类型

5.1.4 技术专利发展

5.1.5 技术发展趋势

5.2 GaN材料市场发展概况分析

5.2.1 市场发展规模

5.2.2 材料价格走势

5.2.3 应用市场结构

5.2.4 应用市场预测

5.2.5 市场竞争格局

5.3 GaN器件及产品研发情况

5.3.1 器件产品类别

5.3.2 GaN晶体管

5.3.3 射频器件产品

5.3.4 射频模块产品

5.3.5 GaN光电器件

5.3.6 电力电子器件

5.4 GaN器件应用领域及发展情况

5.4.1 电子电力器件应用

5.4.2 高频功率器件应用

5.4.3 器件应用发展状况

5.4.4 应用实现条件与对策

5.5 GaN器件发展面临的挑战

5.5.1 器件技术难题

5.5.2 电源技术瓶颈

5.5.3 风险控制建议

第六章2017-2021年第三代半导体碳化硅(SiC)材料及器件发展分析

6.1 SiC材料基本性质与制备技术发展状况

6.1.1 SiC性能特点

6.1.2 SiC制备工艺

6.1.3 SiC产品类型

6.1.4 单晶技术专利

6.1.5 制备技术布局

6.2 SiC材料市场发展概况分析

6.2.1 材料价格走势

6.2.2 材料市场规模

6.2.3 市场应用结构

6.2.4 市场竞争格局

6.2.5 企业研发布局

6.3 SiC器件及产品研发情况

6.3.1 器件产品现状

6.3.2 电力电子器件

6.3.3 功率模块产品

6.3.4 产品发展趋势

6.4 SiC器件应用领域及发展情况

6.4.1 应用整体技术路线

6.4.2 电网应用技术路线

6.4.3 电力牵引应用技术路线

6.4.4 电动汽车应用技术路线

6.4.5 家用电器和消费类电子应用

第七章第三代半导体其他材料发展状况分析

7.1 Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析

7.1.1 基础概念介绍

7.1.2 材料结构性能

7.1.3 材料制备工艺

7.1.4 主要器件产品

7.1.5 应用发展状况

7.1.6 发展建议对策

7.2 宽禁带氧化物半导体材料发展分析

7.2.1 基本概念介绍

7.2.2 材料结构性能

7.2.3 材料制备工艺

7.2.4 主要应用器件

7.3 氧化镓(Ga2O3)半导体材料发展分析

7.3.1 材料结构性能

7.3.2 材料制备工艺

7.3.3 主要技术发展

7.3.4 器件应用发展

7.3.5 未来发展趋势

7.4 金刚石半导体材料发展分析

7.4.1 材料结构性能

7.4.2 衬底制备工艺

7.4.3 主要器件产品

7.4.4 应用发展状况

7.4.5 未来发展前景

第八章2017-2021年第三代半导体下游应用领域发展分析

8.1 第三代半导体下游产业应用领域发展概况

8.1.1 下游产业结构布局

8.1.2 下游产业优势特点

8.1.3 下游产业需求旺盛

8.2 2017-2021年电子电力领域发展状况

8.2.1 全球市场发展规模

8.2.2 国内市场发展规模

8.2.3 器件市场分布状况

8.2.4 器件厂商布局分析

8.2.5 器件产品价格走势

8.2.6 应用市场发展规模

8.3 2017-2021年微波射频领域发展状况

8.3.1 射频器件市场规模

8.3.2 射频器件市场结构

8.3.3 射频器件市场占比

8.3.4 射频器件价格走势

8.3.5 国防基站应用规模

8.3.6 移动通信基站带动

8.3.7 军用射频器件市场

8.4 2017-2021年半导体照明领域发展状况

8.4.1 行业发展现状

8.4.2 行业发展规模

8.4.3 应用市场分布

8.4.4 应用发展趋势

8.4.5 照明技术突破

8.4.6 照明发展方向

8.5 2017-2021年激光器与探测器应用发展状况

8.5.1 市场规模现状

8.5.2 应用研发现状

8.5.3 激光器应用发展

8.5.4 探测器应用发展

8.5.5 未来发展趋势

8.6 2017-2021年5G通讯领域发展状况

8.6.1 市场发展规模

8.6.2 赋能射频产业

8.6.3 应用发展方向

8.6.4 产业发展趋势

8.7 2017-2021年新能源汽车领域发展状况

8.7.1 行业市场规模

8.7.2 应用市场规模

8.7.3 市场需求预测

8.7.4 SiC应用示范

第九章2017-2021年第三代半导体材料产业区域发展分析

9.1 2017-2021年第三代半导体产业区域发展概况

9.1.1 产业区域分布

9.1.2 重点区域建设

9.2 京津翼地区第三代半导体产业发展分析

9.2.1 北京产业政策扶持

9.2.2 北京产业基地发展

9.2.3 保定检测平台落地

9.2.4 应用联合创新基地

9.2.5 区域未来发展趋势

9.3 中西部地区第三代半导体产业发展分析

9.3.1 四川产业政策历程

9.3.2 重庆相关领域态势

9.3.3 陕西产业项目规划

9.4 珠三角地区第三代半导体产业发展分析

9.4.1 广东产业发展布局

9.4.2 深圳产业园区规划

9.4.3 东莞基地发展建设

9.4.4 区域未来发展趋势

9.5 华东地区第三代半导体产业发展分析

9.5.1 江苏产业发展概况

9.5.2 苏州产业联盟聚集

9.5.3 山东产业布局动态

9.5.4 福建产业支持政策

9.5.5 区域未来发展趋势

9.6 第三代半导体产业区域发展建议

9.6.1 提高资源整合效率

9.6.2 补足SiC领域短板

9.6.3 开展关键技术研发

9.6.4 鼓励地方加大投入

第十章第三代半导体产业重点企业经营状况分析

10.1 三安光电

10.1.1 企业发展概况

10.1.2 业务经营分析

10.1.3 财务状况分析

10.1.4 核心竞争力分析

10.1.5 公司发展战略

10.1.6 未来前景展望

10.2 北京耐威科技

10.2.1 企业发展概况

10.2.2 业务经营分析

10.2.3 财务状况分析

10.2.4 核心竞争力分析

10.2.5 公司发展战略

10.2.6 未来前景展望

10.3 华润微电子

10.3.1 企业发展概况

10.3.2 业务经营分析

10.3.3 财务状况分析

10.3.4 核心竞争力分析

10.3.5 公司发展战略

10.3.6 未来前景展望

10.4 湖北台基半导体

10.4.1 企业发展概况

10.4.2 业务经营分析

10.4.3 财务状况分析

10.4.4 核心竞争力分析

10.4.5 公司发展战略

10.4.6 未来前景展望

10.5 无锡新洁能

10.5.1 企业发展概况

10.5.2 业务经营分析

10.5.3 财务状况分析

10.5.4 核心竞争力分析

10.5.5 公司发展战略

10.5.6 未来前景展望

10.6 华灿光电

10.6.1 企业发展概况

10.6.2 业务经营分析

10.6.3 财务状况分析

10.6.4 核心竞争力分析

10.6.5 公司发展战略

10.6.6 未来前景展望

第十一章第三代半导体产业投资价值综合评估

11.1 行业投资背景

11.1.1 行业投资现状

11.1.2 投资市场周期

11.1.3 行业投资机会

11.1.4 行业投资前景

11.2 行业投融资情况

11.2.1 国际投资案例

11.2.2 国内投资案例

11.2.3 国际企业并购

11.2.4 国内企业并购

11.3 行业投资壁垒

11.3.1 技术壁垒

11.3.2 资金壁垒

11.3.3 贸易壁垒

11.4 行业投资风险

11.4.1 企业经营风险

11.4.2 技术迭代风险

11.4.3 行业竞争风险

11.4.4 产业政策变化风险

11.5 行业投资建议

11.5.1 积极把握5G通讯市场机遇

11.5.2 收购企业实现关键技术突破

11.5.3 关注新能源汽车催生需求

11.5.4 国内企业向IDM模式转型

11.5.5 加强高校与科研院所合作

11.6 投资项目案例

11.6.1 项目基本概述

11.6.2 投资价值分析

11.6.3 建设内容规划

11.6.4 资金需求测算

11.6.5 实施进度安排

11.6.6 经济效益分析

第十二章2022-2028年第三代半导体产业前景与趋势预测

12.1 第三代半导体未来发展前景与趋势

12.1.1 应用领域展望

12.1.2 产业发展机遇

12.1.3 重要发展窗口期

12.1.4 产业发展战略

12.2 2022-2028年第三代半导体产业预测分析

12.2.1 2022-2028年中国第三代半导体影响因素分析

12.2.2 2022-2028年中国第三代半导体市场规模预测

12.2.3 2022-2028年中国第三代半导体市场结构预测(ZY TL)

附录:

附录一:关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施

附录二:“十四五”材料领域科技创新专项规划

部分图表目录:

图表 不同半导体材料性能比较(一)

图表 不同半导体材料性能比较(二)

图表 碳化硅、氮化镓的性能优势

图表 半导体材料发展历程及现状

图表 第三代半导体产业演进示意图

图表 第三代半导体产业链

图表 第三代半导体衬底制备流程

图表 第三代半导体产业链全景图

图表 第三代半导体健康的产业生态体系

图表 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟成员(一)

图表 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟成员(二)

图表 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟成员(三)

图表 世界各国第三代半导体产业布局

图表 全球第三代半导体产业格局

图表 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员(一)

图表 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员(二)

图表 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员(一)

图表 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员(二)

图表 欧洲LAST POWER产学研项目成员

图表 2021年国家部委关于集成电路产业的扶持政策汇总

图表 衬底研发重点企业盘点

更多图表见正文......

研究方法

报告研究基于研究团队收集的大量一手和二手信息,使用案头研究与市场调研相结合的方式,依据“S-C-P”、“可竞争市场理论”、“新制度经济学”等产业组织理论,科学、综合的使用SWOT、PEST、回归分析等各类型研究模型与方法综合的分析行业各种影响因素。对行业的市场环境、产业政策、市场规模、行业现状、竞争格局、技术革新、市场风险、行业壁垒、机遇以及挑战等相关因素。

公司通过对特定行业长期跟踪监测,分析行业供给端、需求端、经营特性、盈利能力、产业链和商业模方面的内容,整合行业、市场企业、渠道、用多层面数据和信息资源,为客户提供深度的行业市场研究报告,全面客观的剖析当前行业发展的总体市场容量、竞争格局、 细分数据、进出口市场需求特征等,并根据各行业的发展轨迹及实践经验,对行业未来的发展趋势做出客观预测。

本公司建立了严格的数据清洗、加工和分析的内控体系,分析师采集信息后,严格按照公司评估方法论和信息规范的要求,并结合自身专业经验,对所获取的信息进行整理、筛选,最终通过综合统计、分析测算获得相关产业研究成果。

01数据与资料来源

本公司利用大量的一手及二手资料来源核实所收集的数据或资料。二手资料来源主要包括全球范围相关行业新闻、公司年报、非盈利性组织、行业协会、政府机构、海关数据及第三方数据库等,根据具体行业,应用的二手信息来源具有一定的差异。一般会应用的收集到的二手信息有来自新闻网站及第三方数据库如SEC 文件、公司年报、万得资讯、国研网、中国资讯行数据库、csmar 数据库、皮书数据库及中经专网、国家知识产权局等。

一手资料来源于研究团队对行业内重点企业访谈获取的一手信息数据,主要采访对象有公司CEO、营销/销售总监、高层管理人员、行业专家、技术负责人、下游客户、分销商、代理商、经销商等。市场调研部分的一手信息来源为需要研究的对象终端消费群体。

02研究方法与模型

SWOT分析、PEST分析、波特五力模型、行业生命周期理论、S-C-P分析方法、产业结构理论、产业竞争力模型、产业集群理论等。

03规模测算方法(三角测定)

本公司一般会通过行业访谈、电话访问等调研获取一手数据时,调研人员会将多名受访者的资料及意见、多种来源的数据或资料、供应端及需求端进行比对核查。在资料验证过程中,一般通过三角测定的方式,从供需两个方向出发,验证资料的合理性。

在数据验证过程中,本公司一般采用自上而下和自下而上方法来评估和验证数据的合理。产品关键生产商通过二手及一手信息来确定,行业规模(产销量及产值等),通过一手和二手信息判断,所有的市场份额、数据细分比例等,基于收集到的一手和二手信息核对和评估。本研究涵盖的所有可能影响市场的参数都已经被考虑进去,进行了广泛的细节观察,通过一手资料得到了验证,并进行了分析,以得到最终的定量和定性数据。研究一般包括了关键生产商公开的报告、评论、时事通讯以及对这些生产商相关人员的采访信息。

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◆ 本报告分析师具有专业研究能力,报告中相关行业数据及市场预测主要为公司研究员采用桌面研究、业界访谈、市场调查及其他研究方法,部分文字和数据采集于公开信息,并且结合智研咨询监测产品数据,通过智研统计预测模型估算获得;企业数据主要为官方渠道以及访谈获得,智研咨询对该等信息的准确性、完整性和可靠性做最大努力的追求,受研究方法和数据获取资源的限制,本报告只提供给用户作为市场参考资料,本公司对该报告的数据和观点不承担法律责任。

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