半导体行业周刊：加强半导体技术攻关，全力推动产业集群化

【重点政策】深圳宝安区印发《宝安区2024年国民经济和社会发展计划》，加速打造半导体产业集群

4月3日，深圳市宝安区发展和改革局印发《宝安区2024年国民经济和社会发展计划》（以下简称《发展计划》）。

《发展计划》提出，实施“5+1+N”产业集群发展战略，出台半导体与集成电路、智能网联汽车等8个专项政策，新涌现1个千亿集群、两个500亿集群，战新产业增加值占GDP比重突破50%。全市高端装备、新材料产业集群基金成功落户。重投天科第三代半导体项目试投产，半导体封测集群入围省中小企业特色产业集群。

点评：近年来，在巨大的市场需求、丰厚的人口红利、稳定的经济增长等优势条件推动下，国内各省市地方政府对于半导体产业发展关注度日益提升，在中央政策支持引导下，各地区半导体相关政策陆续出台，为我国半导体产业发展奠定良好基础，全国半导体行业规模得以加速扩容。据中国半导体行业协会统计，我国半导体行业销售额由2017年的7885亿元增长至2022年的13839亿元，年均复合增长率达11.91%；2023年，国内半导体市场规模约增长达15009亿元。

目前，面对技术工艺发展日益成熟的半导体市场，产业集群化成为推动半导体产业高质量发展的必行之路。《发展计划》的出台，说明深圳市宝安区政府已将半导体集群化发展列为本区2024年社会经济发展推进的重心之一。未来一年内，深圳市宝安区政府将根据《发展计划》的发展规划，充分结合市场发展情况，对区内半导体产业作出更为详细、精准的发展计划，积极推动辖区内在建半导体项目试产投产的同时，加强政府招商引资力度，实施“5+1+N”产业集群发展战略，引入更多优秀的半导体企业，且引导相关企业就近、集群落户，加速打造宝安区半导体产业集群化高地，进一步降低区内半导体产业生产成本、提高行业生产效率，以持续推动深圳市甚至是全国半导体产业的发展。

图1：2017-2023年中国半导体行业销售规模变化（单位：亿元）

资料来源：中国半导体行业协会、智研咨询整理

【重点政策】江苏无锡发布《无锡市强化企业科技创新主体地位行动方案》，不断提升半导体科技创新孵化能力

4月2日，在江苏省无锡市人民政府举行的新闻发布会上，无锡市人民政府办公室正式发布《无锡市强化企业科技创新主体地位行动方案》（以下简称《行动方案》）。

《行动方案》重点提出，以新建成投用科创载体为重点，围绕人工智能、量子科技、第三代半导体、合成生物等我市未来产业领域，强化专业团队引领、专业平台支撑、专业基金赋能，支持科技领军企业、高校院所、投资机构等主体建设一批专业化程度高、孵化成效好、产业带动性大、示范引领性强的标杆型众创空间与孵化器。支持具备较好科技产业基础的各类开发区、科技新城、科创片区，立足自身资源禀赋，高标准建设一批集创新、创业、产业、文化和社区等功能有机融合的科创综合体。到2027年，新增市级以上众创空间、科技企业孵化器200家、省级以上科技企业孵化器20家，建成10家地标型科创综合体。

【重点事件】晶存科技存储芯片制造总部项目落户中山三乡

4月3日，深圳市晶存科技有限公司（以下简称“晶存科技”）、三乡镇人民政府、中山市投资控股集团有限公司（以下简称“中山投控”）在三乡镇政府举行晶存科技存储芯片制造总部项目签约仪式。接下来，晶存科技将投资超10亿元在中山市半导体产业园建设存储芯片测试线和先进封装工艺线，该项目也将成为晶存科技存储芯片制造总部项目。

对晶存科技而言，这一定位未来的总部项目落地，意味着企业聚焦集中化、智能化打造一个年产值50亿元的生产总部。

对中山而言，晶存科技的重磅布局，不仅能促进三乡当地的产业转型升级，更能凭借其深厚的技术和行业积累，吸引更多产业链上下游企业和优秀人才，进而助推半导体产业与创新资源集聚，助力中山打造新一代信息技术产业集群，发展新质生产力。

【重点事件】惠然科技半导体量测设备总部项目落地无锡滨湖

4月1日，惠然科技半导体量测设备总部项目正式签约落地滨湖。该项目由惠然科技有限公司投资，包含公司总部、上市主体以及新设立的半导体量测设备研发生产基地，总投建金额达10亿元，将为滨湖乃至无锡深化集成电路产业链布局、健全集成电路产业“生态圈”注入新动能。

【重点事件】长春经开光电信息产业园二期项目预计6月竣工

4月2日，长春新闻报道，长春经开光电信息产业园二期项目产业孵化大厦的外墙装饰工作已经基本完成，室内装饰正在同步施工。相关负责人透露，项目预计今年6月竣工，主要承载CMOS图像传感器产业集群发展及孵化，助力长春市光电产业集群式发展。

据了解，长春光电信息产业园是由中国科学院长春光机所牵头，在长春市人民政府、长春经济技术开发区管理委员会支持下建设的专业化特色科技产业园。目前，长春经开区光电信息产业园区一期项目已经建成投入使用，二期项目占地21000平方米，总投资11.4亿元。投用后，主要承载CMOS图像传感器产业集群发展及孵化，将围绕长光辰芯、长光华大、长光正圆等头部企业的上下游企业进行精准招商，进一步打造光电信息产业集聚区，助力长春市新兴产业发展和转型升级。

【重点技术】华东理工大学自主研发通用晶体生长技术，国内新型半导体材料库进一步丰富

4月6日，华东理工大学宣布，校内清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶晶片通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备，为新一代高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关成果发表于国际学术期刊《自然·通讯》。

【重点技术】北京大学申请半导体结构专利，实现源漏互连时的自对准

4月6日，国家知识产权局公告显示，北京大学申请一项名为“半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件”的专利，公开号CN117832173A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。

【重点技术】华中科技大学与九峰山实验室联合突破光刻胶技术瓶颈

4月2日，据湖北九峰山实验室官方消息，九峰山实验室与华中科技大学组成的联合研究团队在光刻胶技术领域取得了重大突破，成功研发出“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

光刻胶是半导体制造过程中不可或缺的关键材料，其质量和性能直接影响到集成电路的电性、成品率及可靠性等核心指标。然而，长期以来，能够满足工艺稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品并不多见，这成为了制约我国半导体产业进一步发展的瓶颈之一。

华中科技大学与九峰山实验室的联合研究团队，通过巧妙的化学结构设计，构建出新型的双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶。这种光刻胶通过两种光敏单元的协同作用，实现了光酸的快速生成和高效催化，从而实现了高精度、高分辨率的图案转移。

目前，这项技术的研发成果已经在国际顶级期刊《化学工程杂志》上发表，并获得了国家自然科学基金和973计划的共同资助。

华中科技大学与九峰山实验室的这次联合突破，不仅展示了我国科研团队在光刻胶技术领域的深厚积累和创新能力，也为我国半导体产业的发展提供了新的技术支撑。未来，随着这项技术的进一步推广和应用，相信将有力推动我国半导体产业向更高水平迈进，为国家的科技进步和经济发展做出更大的贡献。

【重点企业】鑫威源大功率蓝光半导体激光器产业化项目竣工

4月1日，鑫威源大功率蓝光半导体激光器产业化项目竣工仪式在大桥智能制造产业园举行。

据悉，大功率蓝光半导体激光器产业化项目由武汉鑫威源电子科技有限公司总投资10亿元打造，厂房面积一万余平方米，主要建设基于半导体化合物（GaN）技术的大功率蓝光半导体激光器生产线。目前，已完成厂房及配套装修，正在进行各类设备仪器调试，计划2025年1月正式投产。

资料显示，鑫威源是新兴光电子行业高科技企业，主要围绕大功率蓝光半导体激光器相关材料、芯片、封装及产品的设计、研发、制造与销售。上述项目投产后，将弥补国内高端光器件研发及生产领域的不足，解决我国在关键技术领域的“卡脖子”问题，为国产替代做出重要贡献，具有显著的经济与社会效益。

【重点企业】伟测科技拟发行不超11.75亿可转债

4月2日，伟测科技发布公告称，公司拟向不特定对象发行可转债募资不超过11.75亿元，扣除发行费用后用于伟测半导体无锡集成电路测试基地项目、伟测集成电路芯片晶圆级及成品测试基地项目、偿还银行贷款及补充流动资金。

根据公告，伟测科技本次募投项目主要用于现有主营业务集成电路测试业务的产能扩充，重点扩充“高端芯片测试”和“高可靠性芯片测试”的产能，提高公司集成电路测试服务的效率和交付能力，有利于优化公司收入结构，增强公司在芯片测试领域的市场竞争力，提高公司市场份额。

【重点企业】星思半导体完成超5亿元B轮融资，持续关注低轨卫星通信领域

4月7日，星思半导体完成超5亿元B轮融资，本轮投资方包括中电数据基金、鼎晖香港基金、蓝盾光电、华创资本、朗润利方、兴鼎基金、浙江雷可澳等，老股东沃赋创投继续追加投资。星思半导体是一家平台型基带芯片设计企业，本轮融资完成后，公司将继续加大在低轨卫星通信领域全套解决方案的投入，保障和支撑卫星互联网重大战略项目。

【重点企业】安建半导体完成超2亿元C轮融资，不断加大产品技术研发

4月7日，安建半导体完成超2亿元C轮融资。本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台；扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线；扩充销售及其他人才团队；增加营运现金流储备等。

【重点企业】科友和俄罗斯N公司达成合作，开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目

4月3日，科友半导体宣布，公司于3月27日与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展“八英寸碳化硅完美籽晶”的项目合作。据称，俄罗斯N公司在晶体缺陷密度控制方面有着丰富的研究经验，在相关领域发表高水平文章及期刊百余篇。

科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，他们将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低8英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长的质量和良率，并推动碳化硅长晶炉体及工艺技术的优化与升级。

此前，科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上。2022年底，科友半导体在通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的SiC单晶，晶体表面光滑无缺陷。此外，在今年3月，科友半导体成功拿下了超2亿元的出口欧洲SiC长订单，首批产品将在4月交付；并且顺利通过“国际汽车特别工作组质量管理体系”（IATF16949）认证，进军新能源汽车芯片衬底市场。

【重点企业】天科合达北京工厂招标8英寸量产设备

4月2日中国国际招标网公布信息显示，天科合达北京基地正在招标8英寸衬底量产线设备，包含加工产线的倒角-抛光-研磨-清洗及各类测试设备等产品。表明天科合达将进一步布局8英寸量产产能。据悉，在今年3月20日举行的SEMICON China 2024展会上，天科合达就已经展出了公司的8英寸导电衬底（500um），8英寸导电衬底(350um)和8英寸的外延片产品。天科合达表示公司将打造衬底+外延的一体化解决方案，提供丰富的产品组合，为客户提供更全面的保障和服务。

【重点企业】江丰电子与韩国牙山市政府成功签约，共建现代化半导体材料生产基地

4月2日，江丰电子宣布，公司与韩国牙山市政府成功签署了投资合作协议，计划投资3.5亿元在牙山市新建一座现代化的半导体靶材生产工厂。这一合作协议的签署标志着双方在半导体领域的合作正式进入实质性阶段。建成后的工厂将专注于高端半导体靶材的研发、生产和销售，致力于提供高品质、高性能的半导体材料。

【重点事件】台积电将与日本九州大学签订谅解备忘录，共同培育半导体人才

4月1日消息，台积电与日本九州大学双方计划于本月就半导体领域的广泛合作签署谅解备忘录。根据即将签署的谅解备忘录内容，台积电将向九州大学的“价值创造型半导体人才育成中心”派遣研究人员授课，以解决该领域的人才短缺问题。双方还将考虑在未来开展联合研究。

【重点事件】晶圆代工领域“新贵”Rapidus获日本政府高额补贴

4月2日，日本批准向芯片企业Rapidus公司提供高达5900亿日元（约合39亿美元）补贴，帮助Rapidus购买芯片制造设备，并开发先进后端芯片制造工艺，为日本在半导体制造业实现赶超雄心投入更多资金。这家成立仅19个月的初创公司已获得数十亿美元政府资金。这些拨款旨在恢复日本昔日芯片制造实力。

【重点事件】韩国釜山计划新建2座8英寸SiC/GaN工厂

4月6日，据韩媒报道，韩国釜山市正计划投建2座8英寸SiC/GaN功率半导体生产设施，最快将于明年下半年开始。据悉，釜山市政府计划投资400亿韩元（约合人民币2.2亿），在东南地区—放射线医科学产业园区增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获得国家及市级基金资助。

其次，他们将在机张郡成立一座新的功率半导体技术研究所，该研究所将接管位于功率半导体商业化中心（PSCC）的6英寸功率半导体生产设施，并安装运营新的8英寸生产设施，支持入驻企业开展1700V级高压器件技术研发等技术工作，同时开展盈利业务，计划于明年下半年开始建立。

与此同时，位于功率半导体商业化中心（PSCC）的20多家半导体公司还计划投资1.1万亿韩元（约合人民币60亿），以打造下一代功率半导体生态系统。

【重点企业】铠侠计划在2031年量产1000层3D NAND

4月6日，据外媒Xtech Nikkei报道，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。

在近日于东京城市大学举行的第71届应用物理学会春季会议上的演讲中，Miyajima讨论了在3D NAND器件中实现超过1000层的技术挑战和解决方案。

据介绍，增加3D NAND Flash器件中的有源层数量是当今提高NAND Flash密度的最佳方法，因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。每个新节点都会带来一些挑战，因为3D NAND Flash制造商必须增加层数并横向和纵向缩小NAND Flash单元。这个过程要求制造商在每个新节点都采用新材料，这是一项重大的研发挑战。

如今，铠侠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash，具有218个有源层和3.2 GT/s接口（于2023年3月首次推出）。这一代引入了一种新颖的CBA（CMOS直接键合到阵列）架构，该架构涉及使用最合适的工艺技术单独制造3D NAND Flash单元阵列晶圆和I/O CMOS晶圆并将它们键合在一起。其结果是产品具有增强的位密度和改进的NAND I/O速度，这确保了内存可用于构建最好的SSD。

与此同时，铠侠及其制造合作伙伴西部数据（Western Digital）尚未披露CBA架构的具体细节，例如I/O CMOS晶圆是否包括额外的NAND外围电路（如页缓冲器、读出放大器和电荷泵）。通过分别生产存储单元和外围电路，制造商可以为每个组件利用最高效的工艺技术，随着行业向串堆叠等方法发展，制造商将获得更多优势，串堆叠肯定会用于1000层3D NAND。

【重点企业】SK海力士与美国印第安纳州签约先进后端工艺领域投资合作

4月4日，SK海力士宣布，在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。公司计划向该项目投资38.7亿美元。