芯片行业周刊：各地争先打造芯片高地，加快补齐国内半导体产业链

【重点政策】广州琶洲人工智能与数字经济试验区管理委员会、广州市海珠区科技工业商务和信息化局发布《广州市海珠区建设人工智能大模型应用示范区实施细则》

6月18日，广州琶洲人工智能与数字经济试验区管理委员会、广州市海珠区科技工业商务和信息化局发布《广州市海珠区建设人工智能大模型应用示范区实施细则》（以下简称《实施细则》）。

《实施细则》提出，针对海珠区重点引进的集成电路设计企业的规模化发展，海珠区政府将按照按照细则给予企业规模化发展奖励。同时，《实施细则》明确指出，将给予集成电路设计企业研发创新补贴，一是对企业购买、租赁EDA工具在海珠区开展集成电路研发设计的，将按照不超过实际购买、租赁费用的50%给予补助，单个企业每年最高300万元；二是对开展新型智能计算芯片、新型存储器、开源处理器等前沿领域研发阶段工程流片（全掩膜）的集成电路设计企业按不超过流片费用的60%给予补助，单个企业每年最高1200万元；对研发阶段开展多项目晶圆（MPW）流片或其他全掩膜工程流片的集成电路设计企业，按照不超过流片费用的60%给予补助，单个企业每年最高800万元。

点评：作为全国电子信息产业第一大省，广东在消费电子、通信、人工智能、汽车电子等领域拥有国内最大的半导体及集成电路应用市场。近年来广东省大力实施“广东强芯”工程，加快构建集成电路产业“四梁八柱”，已在高端模拟、化合物半导体、MEMS传感器等特色工艺方面布局一批重大产线项目，基本形成以广州、深圳、珠海为核心，带动佛山、东莞等地协同发展的“3+N”产业格局，产业加速形成集聚，发展生态日趋完善，促使广东省已成为我国科技产业集聚的重要区域，全省半导体集成电路产业发展位居全国前列。数据显示，2023年广东省半导体及集成电路产业集群营收已超过2700亿元，同比增长了19.04%，较2019年复合增长了22.47%。

此次《实施细则》发布意味着，广东省将继续执行“广东强芯”发展规划。在此情况下，广东省集成电路设计企业将获得更多政府资金支持，这对将极大程度上缓解大部分集成电路设计公司面临的高研发创新投入压力，同时也将持续吸引更多集成电路企业落户广东，为广东吸引来更多集成电路投资，以持续为整个广东省芯片半导体产业发展注入活力，进一步提升省内芯片半导体相关核心技术研发创新实力，加速补齐全省半导体产业链短板。在国际技术封锁及国内区域竞争加剧背景下，《实施细则》的发布无疑是为广东省甚至于是全国半导体集成电路产业发展注入了一剂强心针，将逐步助力解决广东省面临的半导体人才短缺、高端芯片产品对外依存度较高等问题，把广东省打造成全国半导体产业高地、实现“到2025年广东半导体及集成电路产业集群营收突破4000亿元”目标的同时，持续助力科技强国战略规划实施。

图1：2019-2023年广州省半导体及集成电路产业集群营收变化（单位：亿元）

资料来源：智研咨询整理

【重点政策】福建省工业和信息化厅等五部门联合印发《福建省加快新材料推广应用和产业高质量发展行动方案（2024—2026年）》

6月19日，福建省工业和信息化厅等五部门联合印发《福建省加快新材料推广应用和产业高质量发展行动方案（2024—2026年）》（以下简称《行动方案》）。

《行动方案》提出要优先发展先进半导体材料和新型显示材料，指出以福州、泉州、厦门等地为重点，依托光电信息材料产业基础优势，聚焦集成电路材料本地配套及服务能力，发展大尺寸硅片、光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、封装材料以及以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体材料，巩固激光晶体、磁光晶体、半导体发光材料等光电子材料技术优势，加快液晶、溅射靶材、光学基膜、电致发光量子点等核心基础材料研发和产业化。

【重点事件】2024新一代半导体晶体技术及应用大会在济南召开

6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，山东大学新一代半导体材料研究院、山东大学晶体材料国家重点实验室、济南市历城区人民政府、山东中晶芯源半导体科技有限公司、山东华光光电子股份有限公司、极智半导体产业网、第三代半导体产业联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司、广东南砂晶圆半导体技术有限公司共同承办，山东硅酸盐学会新材料专委会、北京中电科电子装备有限公司、苏州英谷激光科技股份有限公司、江苏通用半导体有限公司、江苏才道精密仪器有限公司、上海澈芯科技有限公司等单位协办支持。

本次会议除了重量级开幕大会，同时设有四大主题技术平行论坛，将邀请新一代半导体领域相关高校院所专家和知名企业代表出席，共同研讨新一代半导体晶体技术进展及未来发展趋势，分享前沿研究成果，携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。

【重点事件】半导体先进制程电子特气生产基地项目落地肥东

6月19日，上海启元气体与肥东县政府正式签署半导体先进制程电子特气国产化项目投资合作协议。启元气体董事长俞俊、肥东县委书记姚飞共同见证签约，启元气体首席运营官杨建、肥东县委常委、副县长吴刚共同签署协议。

上海启元气体将依托韩系技术资源及支持，计划在位于合肥市肥东县的合肥循环经济示范园内建设国内高标准的半导体先进制程电子特气生产基地。项目占地面积约70亩，建成达产后，预计实现年营收不低于10亿元，年税收不低于6000万元。该项目的落地，将加快推动国际半导体先进制程电子特气材料国产化进程，部分产品填补国内空白，将极大增强国内半导体先进制程所需电子特气的本土供应能力。

上海启元气体发展有限公司成立于2009年8月，主要从事电子特气、电子气体设备制造及大宗气体供气的研发、生产及销售业务。曾打造国内首台套氪氙和氖氦稀有气体精炼设备，并荣获上海市科技进步三等奖。公司主要高纯电子特气产品已服务于全球一流半导体企业，是国内较早通过韩国三星、SK海力士认证的企业。上海启元气体于2021年获得韩国TEMC战略投资，TEMC是韩国著名的电子材料上市公司，是三星、SK海力士的核心电子特气供应商。

电子气体在电子产品制程工艺中广泛用于离子注入、刻蚀、气相沉积、掺杂等工艺，电子半导体器件的性能优劣与电子气体的纯度和质量息息相关。该生产基地建成后，将承担半导体先进制程所需电子特气材料的研发、生产、分析及仓储中心等功能，满足国内本土终端在先进制程工艺升级中对新材料的需求，实现半导体材料供应链自主可控的目标。

【重点企业】新宙邦南通半导体配套项目开工

6月18日，据国家级南通经济技术开发区官微消息，新宙邦半导体新材料项目开工仪式在区举行。

据悉，新宙邦半导体新材料项目总投资20亿元，建设年产12.5万吨半导体新材料、20.5万吨锂电池电解液和0.85万吨工业级双氧水，该项目科技含量高、投资强度大、投入产出效益好。项目达产后，预计年产值将达25亿元，年税收收入不低于7700万元。

管委会副主任王伟表示，新宙邦半导体新材料项目的产品可广泛应用于国产芯片和新能源汽车行业，应用场景丰富、市场前景广阔，对长三角半导体和新能源产业链建设具有重要意义，也将为我区半导体产业做大做强注入新动能。

【重点事件】三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机

6月18日消息，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。

据悉，此种CNT薄膜可以实现92%以上的高EUV透射率和超过1kW曝光输出功率的光阻能力。三井化学预期年产能力为5000张，生产线预计于2025年12月完工，可为ASML将推出的下一代高数值孔径、高输出EUV光刻机提供支持。

【重点企业】南京长晶年产200亿颗新型元器件项目预计8月竣工

6月17日，据浦口发布官微消息，江苏长晶年产200亿颗新型元器件项目迎来最新进展，预计8月底完成竣工验收，9月投产运营。本项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。

据悉，长晶年产200亿颗新型元器件项目位于浦口经济开发区，由江苏长晶浦联功率半导体有限公司投资建设。项目总投资9.5亿元，2024年计划投资3亿元，总占地148亩，总建筑面积约12.9万平方米，建设生产厂房、动力中心、库房等，主要生产表面贴装的半导体分立器件和功率器件。建成达产后，预计年产器件200亿颗。预计年产值12亿元、年税收5000万元，新增就业岗位1200个。

【重点企业】海纳股份浦江项目正式结顶

6月19日，众合科技控股子公司浙江海纳半导体股份有限公司高端功率器件用半导体级抛光片生产线项目正式结顶，预示着海纳抛光基地即将迈入整体竣工与交付阶段，项目通线后将正式具备6-8英寸抛光片的规模化生产与供货能力。这一里程碑事件不仅彰显了海纳股份在半导体材料领域的崭新地位，更为众合科技“1+2+N”战略布局注入了强劲动力。

作为2024年浙江省重大产业项目，该项目位于浙江省金华市浦江县浦江经济开发区，计划总投资22.14亿元，总建筑面积达12万平方米左右，建成后将实现年产432万片6-8 英寸抛光片，跻身为国内领先的抛光片独立供应商。

硅片作为半导体产业链的基石，其质量直接决定芯片的质量和良率，进一步影响整个半导体产业以及更下游的通信、汽车、计算机和消费电子等行业的发展。当前，12英寸硅晶圆凭借大尺寸及可降低单位成本等优势受到市场热捧，导致8英寸硅晶圆产能有所下滑。但8英寸抛光硅片仍因其高良率、品质稳定及高性价比而保有巨大的市场空间。据行业数据统计，目前国内8英寸硅片的国产化率不足20%，因此国产替代的需求迫切且旺盛。

海纳浦江项目的创新之处不仅在于规模，更在于其技术革新。通过实施自动化与信息化的双引擎策略，该项目将推动工厂内部生产流程向更加模块化、智能化的方向发展，可实现70%工序的黑灯化操作和100%工序的集控化生产，显著提升订单交付率与生产达成率，有力助推工业4.0的革新步伐。这是海纳股份在推动中国半导体产业国产化及突破国外技术封锁征途中迈出的重要一步。

【重点企业】南智光电晶圆级薄膜铌酸锂PDK正式发布

6月18日，据南京江北新区产业技术研创园官微消息，由南智先进光电集成技术研究院有限公司（下简称“南智光电”）主导的晶圆级薄膜铌酸锂器件工艺开发包（Process Design Kit，简称PDK）1.0版正式发布。该PDK的发布不仅标志着晶圆级薄膜铌酸锂光电子器件设计与加工工艺标准化取得新的重要进展，也标志着南智光电平台光子芯片产线正式具备标准化代工流片能力。

据悉，该PDK中提供各种有源、无源器件，包括低损耗弯曲波导、分束器、端面耦合器和高速马赫曾德尔调制器等。基于该PDK，南智光电可提供多项目晶圆（MPW）和定制化芯片制造服务，极大地减少了铌酸锂高端光电子芯片设计及研发的成本，并为客户提供专业高效的流片服务。

资料显示，南智光电成立于2018年，主要开展光学微纳结构器件制造、异质集成光电芯片、光电子封装测试和光电集成设计等方向的技术研发和量产代工，已建成“薄膜铌酸锂+X”（X代表硅、化合物半导体、低维材料等）光子芯片产线，为光电企业、高校院所提供芯片器件研制、开发和代工生产。南智光电致力于晶圆级薄膜铌酸锂器件的制备工艺开发，通过PDK规范并定义调制器等器件加工所需的各类关键信息，可有效减少客户从设计到流片的时间成本，降低企业在研发和生产过程中的试错成本，提高生产效率。

【重点企业】三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点

6月18日，根据韩国媒体Etnews报导消息，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。

报导指出，三星的美国德州泰勒市晶圆厂投资于2021年，2022年开始兴建，计划于2024年底开始分阶段运营。以三星电子DS部门前负责人Lee Bong-hyun之前的说法表示，到2024年底，我们将开始从这里出货4纳米节点制程的产品。

不过，相较于三星泰勒市晶圆厂，英特尔计划2024年在亚利桑那州和俄亥俄州工厂量产Intel 20A和18A节点制程。

此外，台积电也正在美国建设三座晶圆厂，计划2025年上半年投产4纳米节点制程，2028年投产2纳米及3纳米节点制程，2030年投产2纳米及其以下的先进节点制程。因此，相较来说，三星的进度稍有所落后竞争对手。

而根据在4月份举行的第一季业绩发表会上，三星电子表示，我们正准备根据客户订单分阶段启动美国泰勒市晶圆厂的运营工作，预计将于2026年开始进一步的首次量产。而受惠于泰勒市晶圆厂，三星电子能够从美国政府获得64亿美元的补贴，这使得三星预计到2030年总投资预计将超过400亿美元。因此，对于泰勒市晶圆厂的制程转变，未来是否会影响市场占有率，市场还需拭目以待。

【重点企业】SiCSem拟在印度新建一座SiC工厂

6月18日，据外媒消息，总部位于印度钦奈的SiCSem Private Limited（下文简称SiCSem）计划在印度奥里萨邦建立一座涵盖碳化硅（SiC）制造、组装、测试和封装（ATMP）工厂。

基于这一规划，6月15日，SiCSem与印度理工学院布巴内斯瓦尔分校（IIT-BBS）就化合物半导体领域研究事宜签署了合作协议。

根据协议，双方之间首个项目是在IIT-BBS实现SiC晶体生长的本土化。这一项目专注于6英寸和8英寸SiC晶圆的大批量生产，预估耗资4.5亿卢比（折合人民币约3900万元）。

该项目将有助于印度在电动汽车（EV）、快速充电器、绿色能源、光伏逆变器、电机控制、5G通信等先进技术的功率半导体器件方面实现自给自足。

值得一提的是，前不久，印度软件公司Zoho也宣布将在本土建立8英寸SiC工厂，该公司目前已获得Clas-SiC的技术支持。

此外，还有报道指出，总部位于美国的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics也正在向印度政府申请生产SiC许可证。

【重点企业】中巨芯拟追加电子湿化学品扩能改造项目投资

6月18日，中巨芯发布公告称，鉴于下游市场客户需求增加，特别是对槽车形式供货需求的增加，以及公司拓展海外业务的需要，公司拟对电子湿化学品扩能改造项目追加投资7670万元，主要用于槽车采购。电子湿化学品扩能改造项目投资总额将从31936.11万元增加至39606.11万元。

中巨芯称，由于国际环境、宏观经济等变化影响，下游客户对公司电子湿化学品需求增长超出预期，本项目原槽车数量已无法满足下游客户需求。追加项目投资采购槽车，不仅能有效满足国内下游客户的需求，同时能够满足海外市场拓展的需要，有利于提高公司产品市场份额，增强公司竞争力和可持续发展能力。

除了上述项目，中巨芯也于今年1月与衢州市智造新城管理委员会签署《投资协议书》，在衢州市智造新城区投资新建“集成电路制造用先进电子化学材料项目”，预计项目总投资金额约人民币6亿元，其中新增固定资产投资约5.1亿元。

集成电路制造用先进电子化学材料项目主要建设11,000吨配方型清洗液、100吨二异丙胺基硅烷、10吨硅烷基胺、2吨镧金属前驱体、1.5吨钛金属前驱体、1.5吨（3，3-二甲基1-丁炔）六羰基二钴等内容。

中巨芯表示，本次投资符合公司战略发展规划，有利于提高公司产品供应保障能力，做强配方型电子化学品、前驱体材料等集成电路用先进电子化学材料产品，提高公司竞争优势，增强公司的可持续发展和盈利能力。

【重点企业】光驰半导体原子层镀膜与刻蚀镀膜项目竣工

6月18日消息，光驰半导体技术（上海）有限公司投资建设的原子层镀膜与刻蚀设备项目顺利完成竣工验收。

宝山高新区消息显示，原子层镀膜与刻蚀设备项目位于宝山高新区07-17地块，总投资5.48亿元，占地面积50亩，总建筑面积6.44万㎡，其中一期建筑面积约3.8万㎡，涵盖标准厂房、研发办公楼等。项目主要致力新型电子元器件及设备制造，利用全球泛半导体产业链的调整与相关前沿研发的投入与技术整合，实现电子专用设备制造产业化、规模化。

光驰半导体技术（上海）有限公司，作为光驰科技（上海）有限公司全资子公司。光驰科技自2000年入驻宝山高新区南部园区。2022年，光驰科技将传统光学与半导体技术融合，于北部园区投资设立光驰半导体，进一步提升制造空间与产能，开辟光学元器件向半导体集成光学转变的新市场。项目预计达产后年产能将达到高精度原子层镀膜机120台和5台刻蚀机。

2023年4月10日，光驰半导体技术（上海）有限公司半导体原子层镀膜与刻蚀镀膜项目一期正式封顶。

【重点事件】年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶

6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。接下来将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。

据悉，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

项目投产后，可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。武汉基地是长飞先进发展战略中至关重要的一环，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。

【重点企业】先楫半导体完成B轮融资，聚焦国产高性能RISC-V MCU芯片

6月19日消息，国产高性能微控制器厂商上海先楫半导体科技有限公司宣布完成新一轮近亿元融资。本轮融资由天堂硅谷资本领投，天津永钛海河、杭州元琰股权投资基金及三旺奇通等跟投。所得资金将主要用于丰富其高性能微控制器的产品线，并拓展及扩大其在工业自动化、新能源和汽车电子三大领域的市场发展，尤其是加速在智能驾驶、机器人、边缘侧AI芯片等领域的开拓。

【重点企业】士兰集宏8英寸SiC芯片生产线开建

6月18日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧开工。

据悉，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元，分两期建设。将建设一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。其中，一期项目总投资70亿元，预计2025年三季度末初步通线，2025年四季度试生产，达产后年产42万片。项目建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片。

上个月，士兰微发布公告称，拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并签署《8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。

据了解，此次开工项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”后，士兰微落地厦门的第三个重大项目，将助推厦门市第三代半导体产业加快发展，抢占未来产业赛道、加快产业转型升级、发展新质生产力提供有力支撑。同时，也有利于加快实现公司SiC功率器件的产业化，完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局。

【重点企业】安森美将在捷克投资至多20亿美元，扩大半导体产能

6月19日，美国芯片制造商安森美表示，将至多投资20亿美元，以提高其在捷克共和国的半导体产量，从而扩大该公司在欧洲的产能，目的是寻求欧盟关键需求自给自足。

安森美这一项目，将成为捷克历史上金额最大的一次性外国直接投资。该公司计划扩大其在东部城镇Roznov pod Radhostem的业务，以容纳碳化硅（SiC）半导体的整个生产链，包括汽车和可再生能源领域最终使用的芯片模块。

近期意法半导体在意大利也采取了类似举措，将对碳化硅芯片生产投资；英特尔、台积电也在德国进行投资。

安森美的一份声明称，“该工厂将生产智能功率半导体，这些半导体芯片对提高电动汽车、可再生能源和人工智能（AI）数据中心等应用的能效至关重要。

【重点技术】清华大学研发光子芯片侧重自动驾驶等边缘智能应用

6月18日消息，清华大学研究团队的展示了一项成果——新型智能光子传感计算芯片，可以在纳秒级时间内处理、传输和重建场景图像。

这款名为光学并行计算阵列（OPCA）的芯片，在纳秒级时间内完成了图像的处理、传输和重建，其处理带宽高达一千亿像素，响应时间仅为6纳秒，比现有技术快了约六个数量级。速度提升的背后得益于该芯片独特的集成传感和计算功能设计。

OPCA芯片的工作原理是利用光子技术，在光域内直接对图像进行处理和分析。这不仅避免了信息损失和误差，光子技术的并行处理能力也使得芯片能够同时处理大量数据，进一步提高了处理速度。

OPCA芯片有利于自动驾驶、工业检测和机器人视觉等机器视觉应用的边缘智能发展，在自动驾驶领域，它能够实时捕捉并处理道路信息，为车辆提供准确的导航和避障功能。

【重点事件】全芯微DFN QFN封装项目签约广东罗定

6月17日，罗定市人民政府与深圳卓锐思创科技有限公司举行全芯微DFN QFN封装项目签约仪式。据悉，此次签约项目计划投资10亿元以上，主要包含光电半导体制造、DFN QFN芯片封测、CP中测等三个板块，建成后年产值预计可达20亿元，可产生税收5000万元以上，将有力推动罗定电子信息产业做大做强，为高质量发展注入强劲动力。

【重点企业】颀中科技合肥研发中心启用

6月18日，颀中科技成立20周年暨合肥研发中心启用活动成功举办。

合肥新站区消息显示，作为先进封测领域的领军企业，颀中科技始终专注于集成电路高端先进封装测试服务，凭借在显示驱动芯片封测领域的卓越表现，不仅成为境内规模最大、全球第三的显示驱动芯片封测厂商，还在电源管理芯片和射频前端芯片等非显示类芯片封测领域取得了显著进展。2023年4月20日，颀中科技在上海交易所科创板挂牌上市，迎来了企业发展的崭新篇章。2024年1月，颀中先进封装测试生产基地项目正式投产，当前预计产能为凸块及晶圆测试每月1万片，薄膜覆晶封装每月约3000万颗。

据介绍，颀中科技合肥研发中心将引进国内首批全自动金电镀机机台、国产顶尖SEM分析设备等，具备从材料到设备全链条国产化的基础条件。未来将加快推进显示驱动芯片金凸块制造、后段先进封测以及相关智能制造领域的工艺创新和新产品研发。

现场，颀中科技与合肥工业大学微电子学院达成了战略合作，双方将充分整合各自优势资源，加快推进关键基础性技术创新、前沿引领技术创新成果转化和产业化。此外，双方还将通过产教融合、校企合作等多种模式，努力建成新一代电子信息技术人才培养、科学研究与产学研用一体化基地。